-
1 напыление в сверхвысоком вакууме
Engineering: ultrahigh-vacuum depositionУниверсальный русско-английский словарь > напыление в сверхвысоком вакууме
-
2 подвергнутый дегазации в сверхвысоком вакууме
Metallurgy: degassed in ultrahigh vacuumУниверсальный русско-английский словарь > подвергнутый дегазации в сверхвысоком вакууме
-
3 химическое осаждение из паровой фазы в сверхвысоком вакууме
Microelectronics: ultrahigh vacuum cvdУниверсальный русско-английский словарь > химическое осаждение из паровой фазы в сверхвысоком вакууме
-
4 напыление в сверхвысоком вакууме
nmicroel. UltrahochvakuumaufdampfungУниверсальный русско-немецкий словарь > напыление в сверхвысоком вакууме
-
5 установка напыления в сверхвысоком вакууме
nmicroel. UltrahochvakuumaufdampfanlageУниверсальный русско-немецкий словарь > установка напыления в сверхвысоком вакууме
-
6 скалывание в сверхвысоком вакууме
фпп cleaving in ultrahigh vacuumРусско-английский физический словарь > скалывание в сверхвысоком вакууме
-
7 испарение в сверхвысоком вакууме
nDictionnaire russe-français universel > испарение в сверхвысоком вакууме
-
8 скалывание
с.spallation; ( метод получения граней кристалла) cleavage, cleaving -
9 laser vacuum epitaxy
Англо-русский словарь промышленной и научной лексики > laser vacuum epitaxy
-
10 MBE
molecular beam epitaxy — молекулярно-лучевая эпитаксия, МЭ (эпитаксия молекулярным пучком, производящаяся в сверхвысоком вакууме) -
11 молекулярно-лучевая эпитаксия
молекулярно-лучевая эпитаксия
Процесс физического осаждения, (в основном из паровой фазы), выполняется в сверхвысоком вакууме (ниже 10-8 торр) и при температуре подложки, обычно не превышающей 800 oC; свободный (молекулярный) поток реагентов для осаждения и химическая чистота поверхности подложки позволяют получить хорошо управляемый рост ультратонких эпитаксиальных слоев; метод осаждения с высочайшей точностью, используемый при обработке полупроводников.
[ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > молекулярно-лучевая эпитаксия
-
12 туннельный микроскоп
[англ. tunnel — подземное (подводное) сооружение; греч. mikros — малый и scopeo — смотрю, рассматриваю, наблюдаю]микроскоп, принцип действия которого основан на регистрации тока туннельного перескока электронов (преодоление электронами запрещенной зоны, напр. промежутка между молекулами или высокого энергетического барьера), происходящего между поверхностью исследуемой молекулы и сканирующим ее острием металлической иглы. Система пьезокристаллов, управляемая компьютером, обеспечивает трехкоординатное перемещение металлического зонда на расстоянии порядка 0,1 нм от исследуемой поверхности. Между ней и зондом прикладывают напряжение около 1 В и регистрируют возникающий туннельный ток. Достоинство Т.м. заключается в сверхвысоком разрешении (атомного порядка, 10 -2 нм) и в возможности размещать образец не в вакууме (как в электронных микроскопах), а в обычной воздушной среде при атмосферном давлении, в атмосфере инертного газа и даже в жидкости, что особенно важно для изучения гелеобразных и макромолекулярных структур (белков, ДНК, РНК, вирусов) в нативном состоянии. Первый сканирующий Т.м. создан Г. Биннингом и Г. Рорером в 1981 г. (Нобелевская премия за 1986 г.).Толковый биотехнологический словарь. Русско-английский. > туннельный микроскоп
См. также в других словарях:
Физика — I. Предмет и структура физики Ф. – наука, изучающая простейшие и вместе с тем наиболее общие закономерности явлений природы, свойства и строение материи и законы её движения. Поэтому понятия Ф. и сё законы лежат в основе всего… … Большая советская энциклопедия
Tescan — Tescan, a.s. Год основания 1991 Расположение … Википедия
ЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОСКОП — прибор для наблюдения и фотографирования многократно (до 106 раз) увеличенного изображения объекта, в к ром вместо световых лучей используются пучки электронов, ускоренных до больших энергий (30 1000 кэВ и более) в условиях глубокого вакуума. Физ … Физическая энциклопедия
Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия — (РФЭС) количественный спектроскопический метод исследования элементного состава, эмпирической формулы, химического и электронного состояния атомов, присутствующих в материале. Он основан на явлении внешнего фотоэффекта. Спектры РФЭС… … Википедия
Вакуумная техника — совокупность методов и аппаратуры для получения, поддержания и контроля вакуума. История развития физики и химии, а также ряда отраслей промышленности неразрывно связана с развитием В. т. Герон из Александрии (вероятно, 1 в.)… … Большая советская энциклопедия
Вакуум — Ртутный вакуумный барометр Эванджелисты Торричелли учёного, впервые создавшего вакуум в лаборатории. Над поверхностью ртути в верхней части запаянной трубки «торричелиева пустота» (вакуум, содержащий пары ртути под давлением насыщения … Википедия
Туннельная эмиссия — (автоэлектронная, холодная, электростатическая, полевая) испускание электронов твёрдыми и жидкими проводниками под действием внешнего электрического поля Е высокой напряжённости (Е Туннельная эмиссия 107 в/см). Т. э. была обнаружена в… … Большая советская энциклопедия
Фотоэлектронная эмиссия — внешний фотоэффект, испускание электронов твёрдыми телами и жидкостями под действием электромагнитного излучения (фотонов) в вакуум или др. среды. Практическое значение в большинстве случаев имеет Ф. э. из твёрдых тел (металлов,… … Большая советская энциклопедия
АВТОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ — (туннельная эмиссия, полевая эмиссия), испускание эл нов проводящими твёрдыми и жидкими телами под действием внеш. электрич. поля высокой напряжённости E(=107 В/см) у их поверхности. Механизм А. э. туннельное прохождение эл нов сквозь потенц.… … Физическая энциклопедия
ФОТОКАТОД — катод фотоэлектронных приборов, эмиттирующий эл ны под действием электромагн. излучения УФ, видимого и ИК диапазонов (см. ФОТОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ). Ф. представляет собой пластинку или (чаще) тонкую плёнку фотоэмиссионного материала на… … Физическая энциклопедия
ЭПИТАКСИЯ — (от греч. epi на и taxis расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в ва подложки и нарастающего кристалла различны, и г о м о э п и т а к с и ю… … Физическая энциклопедия
